FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：800mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3.6nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：101pF @ 30V
功率耗散（最大值）：323mW（Ta）, 554mW（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 900mA，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-236AB（SOT23）
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs