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PMV35EPE /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):480mW 类型:P沟道
PMV35EPE的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.3A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻45mΩ @ 4.2A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)480mW

类型P沟道

供应商PMV35EPE
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深圳市成源运利电子科技有限公司PMV35EPE深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市创科捷佳电子有限公司PMV35EPE深圳市福田区中航路鼎诚大厦10楼1009-11090755-82722720
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集好芯城PMV35EPE深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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PMV35EPERNexperiaMOSFET PMV35EPE/TO-236AB/REEL 7" Q3/T1:¥3.1527
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PMV35EPENexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):480mW 类型:P沟道1+:¥1.0473
10+:¥0.8013
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