FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7.4nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：420pF @ 15V
功率耗散（最大值）：380mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 3.2A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-236AB（SOT23）
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：15V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs