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PMV30UN,215 /NXP Semiconductors/分立半导体产品
PMV30UN,215的规格信息
PMV30UN,215的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):36 毫欧 @ 2A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):460pF @ 20V

功率 - 最大值:1.9W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)

其它名称:568-2353-2934057773215PMV30UN T/RPMV30UN T/R-NDPMV30UN215

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PMV30UN,215NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH TRENCH 20V1+:¥2.26
10+:¥1.5001
100+:¥1.08
1000+:¥1.0099
3000+:¥0.97
9000+:¥0.89
24000+:¥0.87
45000+:¥0.85
99000+:¥0.811+:¥1.11
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24000+:¥0.87
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100+:¥0.96
250+:¥0.9