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PMV37EN2R /MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
PMV37EN2R的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:5.6 A

Rds On-漏源导通电阻:36 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:3.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.115 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:3 ns

单位重量:8 mg

供应商PMV37EN2R
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PMV37EN2RMOSFET N-CH 30V 4.5A TO236ABNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO510.23 Kbytes共14页PMV37EN2R的PDF下载地址
PMV37EN2R连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):510mW 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO664.98 Kbytes共16页PMV37EN2R的PDF下载地址
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PMV37EN2RNexperiaMOSFET 30V N-channel Trench MOSFET1:¥3.4578
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PMV37EN2RNexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):510mW 类型:N沟道1+:¥1.25
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