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NE3210S01-T1B /射频JFET晶体管 Super Lo Noise HJFET
NE3210S01-T1B的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类:射频JFET晶体管

类型:GaAs pHEMT

正向跨导 - 最小值:55 mS

漏源电压 VDS:4 V

闸/源击穿电压:- 3 V

漏极连续电流:70 mA

频率:12 GHz

增益:13.5 dB

功率耗散:165 mW

最大工作温度:+ 125 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-1

封装:Reel

商标:CEL

噪声系数:0.35 dB

产品:RF JFET

工厂包装数量:4000

ROHS: 无铅

供应商NE3210S01-T1B
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NE3210S01-T1BCalifornia Eastern Laboratories (CEL)SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC100 : $1.4276
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NE3210S01-T1BCalifornia Eastern Laboratories (CEL)TRANSISTOR JFET 4V 70MA 4-PIN CASE S01 - Tape and Reel价格未公开
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Avnet Express
NE3210S01-T1BRenesas Electronics CorporationHETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR4,000 : $0.627
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NE3210S01-T1BRenesas Electronics CorporationTrans JFET 4V 70mA 4-Pin Case S01 T/R1 : $1.95
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2,000 : $0.74
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Chip1Stop
NE3210S01-T1BCalifornia Eastern Laboratories (CEL)Trans JFET 4V 70mA AlGaAs HJFET 4-Pin Case S01 T/R
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NE3210S01-T1BCELFET RF 4V 12GHZ S01Obsolete
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NE3210S01-T1BCalifornia Eastern Laboratories (CEL)NE3210S01 N-Ch 12 Ghz 13.5 dB 165 mW Low Noise HJ FET - SO-1
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NE3210S01-T1BCalifornia Eastern Laboratories (CEL)Trans JFET 4V 70mA AlGaAs HJFET 4-Pin Case S01 T/R$1.1235
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Verical
NE3210S01-T1BRenesas Electronics CorporationTrans JFET 4V 70mA 4-Pin Case S01 T/R$2.4375