KNE6303A
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道
KNE6303A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻10mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）3.1W
类型N沟道
KNE6303A
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| KNE6303A | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道 | KIA 半导体 |  | 220.19 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
KNE6303A的全球分销商及价格
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立创商城 | KNE6303A | KIA 半导体 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道 | 1+:￥0.8435
10+:￥0.6186
30+:￥0.5773
100+:￥0.536
500+:￥0.5176
1000+:￥0.5086
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