KNB3208A
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):189W(Tc) 类型:N沟道
KNB3208A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻8mΩ @ 24A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)189W(Tc)
类型N沟道
KNB3208A
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| KNB3208A | 100Aï¼85V N-CHANNEL MOSFET | KIA[KIA Semiconductor Technology] | ![KIA[KIA Semiconductor Technology]的LOGO](/PdfSupLogo/1262KIA.GIF) | 447.64 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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 立创商城 | KNB3208A | KIA 半导体 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):189W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥2.24 10+:¥1.64 30+:¥1.53 100+:¥1.42 500+:¥1.37 1000+:¥1.35
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