KND4820B
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道
KND4820B的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻300mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)83W(Tc)
类型N沟道
KND4820B
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| KND4820B | 9.0Aï¼200V N-CHANNEL MOSFET | KIA[KIA Semiconductor Technology] | ![KIA[KIA Semiconductor Technology]的LOGO](/PdfSupLogo/1262KIA.GIF) | 468.42 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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 立创商城 | KND4820B | KIA 半导体 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥0.8998 10+:¥0.6599 30+:¥0.6158 100+:¥0.5717 500+:¥0.5522 1000+:¥0.5425
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