KND3508A
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
KND3508A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)70A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻12mΩ @ 35A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)-
类型N沟道
KND3508A
KND3508A及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| KND3508A | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 | KIA 半导体 |  | 218.37 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
KND3508A的全球分销商及价格
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 立创商城 | KND3508A | KIA 半导体 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 | 1+:¥2.0646 10+:¥1.6398 30+:¥1.5618 100+:¥1.4837 500+:¥1.4491 1000+:¥1.4319
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