KNB2910A
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 10A,70V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道
KNB2910A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）130A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻9mΩ @ 10A,70V
最大功率耗散（Ta=25°C）300W(Tc)
类型N沟道
KNB2910A
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| KNB2910A | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 10A,70V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 | KIA 半导体 |  | 333.86 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
KNB2910A的全球分销商及价格
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立创商城 | KNB2910A | KIA 半导体 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 10A,70V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥4.35
10+:￥3.35
30+:￥3.16
100+:￥2.98
500+:￥2.9
1000+:￥2.86
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