KNB3508A
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 漏源电压(Vdss):70V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
KNB3508A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)70V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)70A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻11mΩ @ 35A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)-
类型N沟道
KNB3508A
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型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
KNB3508A | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 漏源电压(Vdss):70V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 | KIA 半导体 |  | 219.40 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
KNB3508A的全球分销商及价格
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 立创商城 | KNB3508A | KIA 半导体 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 漏源电压(Vdss):70V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 | 1+:¥2.09 10+:¥1.56 30+:¥1.47 100+:¥1.37 500+:¥1.33 1000+:¥1.31
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