KND4360A
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道
KND4360A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）2.8A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.7Ω @ 1.4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）55W(Tc)
类型N沟道
KND4360A
KND4360A及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| KND4360A | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道 | KIA 半导体 |  | 315.75 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
KND4360A的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | KND4360A | KIA 半导体 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.0964
10+:￥0.8465
30+:￥0.8006
100+:￥0.7547
500+:￥0.7343
1000+:￥0.7242
|