KND8606A
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道
KND8606A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）35A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻20mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）45W(Tc)
类型N沟道
KND8606A
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| KND8606A | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道 | KIA 半导体 |  | 208.17 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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10+:￥0.6599
30+:￥0.6158
100+:￥0.5717
500+:￥0.5522
1000+:￥0.5425
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