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IPD65R660CFD /MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 CoolMOS CFD2
IPD65R660CFD的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:660 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:22 nC

Pd-功率耗散:63 W

配置:Single

商标名:CoolMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:CoolMOS CFD2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

零件号别名:IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R66CFDXT SP000745024

单位重量:4 g

供应商IPD65R660CFD
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张先生,王小姐Email:2881479208@qq.com询价
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13352985419,19076157484
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深圳市安富世纪电子有限公司IPD65R660CFD深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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13926529829,17318082080
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深圳市芯泽盛世科技有限公司IPD65R660CFD龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市宇浩扬科技有限公司IPD65R660CFD深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPD65R660CFDA深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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IPD65R660CFDMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO4469.97 Kbytes共21页IPD65R660CFD的PDF下载地址
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IPD65R660CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.76 Mbytes共13页IPD65R660CFDAATMA1的PDF下载地址
IPD65R660CFDATMA1MOSFET N-CH 650V 6A TO252Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO4.36 Mbytes共21页IPD65R660CFDATMA1的PDF下载地址
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IPD65R660CFDBTMA1MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO4.36 Mbytes共21页IPD65R660CFDBTMA1的PDF下载地址
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IPD65R660CFD的全球分销商及价格
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Avnet Express
IPD65R660CFDInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel2,500 : $0.753
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IPD65R660CFDInfineonFET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET COOLM 650V CFD PWR TRANS1+:¥9.36
10+:¥7.48
100+:¥5.75
500+:¥5.08
1000+:¥4.97
2500+:¥4.56
10000+:¥4.44
25000+:¥4.3499
50000+:¥4.382500+:¥5.73
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IPD65R660CFDInfineon Technologies AGMOSFET N-CH 650V 6A TO2522,500 : $0.64568
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Digi-Key 得捷电子
IPD65R660CFDInfineonFET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET COOLM 650V CFD PWR TRANS1+:¥9.36
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IPD65R660CFDAATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 6A TO252-3$1.96000
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IPD65R660CFDATMA2Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313$0.76475
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IPD65R660CFDBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 6A TO252-3$0.58000
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IPD65R660CFDBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 6A TO252-3Obsolete
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IPD65R660CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 CoolMOS CFD21:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4919
500:¥6.6105
1,000:¥5.2206
2,500:¥4.9833
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IPD65R660CFDAInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-21:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
2,500:¥6.2376
5,000:查看
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Mouser 贸泽电子
IPD65R660CFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY1:¥11.3678
10:¥9.7632
100:¥7.5032
500:¥6.6218
2,500:¥4.6443
10,000:查看
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IPD65R660CFDATMA2Infineon TechnologiesMOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther2,500:¥4.6443
10,000:¥4.4635
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Rochester
IPD65R660CFDInfineonFET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET COOLM 650V CFD PWR TRANS1+:¥9.36
10+:¥7.48
100+:¥5.75
500+:¥5.08
1000+:¥4.97
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25000+:¥4.3499
50000+:¥4.382500+:¥5.731+:¥4.62
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5000+:¥4.3499
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Rochester Electronics
IPD65R660CFDInfineon Technologies AGN/A500 : $0.76
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IPD65R660CFDInfineon(英飞凌)预售晶体管1+:¥10.98
200+:¥4.25
500+:¥4.1
1000+:¥4.03
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立创商城
IPD65R660CFDAInfineon(英飞凌)预售晶体管1+:¥14.54
200+:¥5.63
500+:¥5.43
1000+:¥5.34