包装标准卷带
系列汽车级，AEC-Q101，CoolMOS™
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）420 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 345µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）32nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）870pF @ 100V
FET 功能-
功率耗散（最大值）83.3W（Tc）
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TO252-3
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63