销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | IPD65R600C6 | Infineon | FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor | 2500+:¥4.6 5000+:¥4.37 12500+:¥4.1999 25000+:¥4.08 62500+:¥3.94 |
 Digi-Key 得捷电子 | IPD65R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 | Obsolete |
 Mouser 贸泽电子 | IPD65R600C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C6 | 1:¥11.1418 10:¥9.5259 100:¥7.3337 500:¥6.4862 1,000:¥5.1189 2,500:¥5.1189
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 Mouser 贸泽电子 | IPD65R600C6 | Infineon | FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor | 2500+:¥4.6 5000+:¥4.37 12500+:¥4.1999 25000+:¥4.08 62500+:¥3.941+:¥9.11 10+:¥7.31 100+:¥5.63 500+:¥4.98 1000+:¥4.8599 2500+:¥4.46 10000+:¥4.3499 25000+:¥4.26 50000+:¥4.29 |
 Mouser 贸泽电子 | IPD65R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C6 | 1:¥11.1418 10:¥9.5259 100:¥7.3337 500:¥6.4862 1,000:¥5.1189 2,500:¥5.1189
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 立创商城 | IPD65R600C6 | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 210uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 2.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥10.74 200+:¥4.16 500+:¥4.01 1000+:¥3.94
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