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IPD65R600C6 /MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C6
IPD65R600C6的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:7.3 A

Rds On-漏源导通电阻:540 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:23 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:63 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:CoolMOS C6

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:IPD65R600C6BTMA1 IPD65R6C6XT SP000745020

单位重量:4 g

供应商IPD65R600C6
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IPD65R600C6BTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3Obsolete
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IPD65R600C6Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 210uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 2.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道1+:¥10.74
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