数据列表：IPx65R600E6

产品培训模块：CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：CoolMOS??

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.3A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 2.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 210µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：23nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：440pF @ 100V

功率 - 最大值：63W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：PG-TO252-3

其它名称：IPD65R600E6-NDIPD65R600E6BTMA1SP000800216