| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Digi-Key 得捷电子 | IPD65R380C6 | Infineon | FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 700V 10.6A | 1+:￥13.68
10+:￥12.33
25+:￥11.04
100+:￥9.93
250+:￥8.82
500+:￥7.7
1000+:￥6.38 |
Digi-Key 得捷电子 | IPD65R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 | $0.97422 |
Digi-Key 得捷电子 | IPD65R380C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | $0.74000 |
Mouser 贸泽电子 | IPD65R380C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 10.6A DPAK-2 CoolMOS C6 | 1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4523
2,500:¥6.4523
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Mouser 贸泽电子 | IPD65R380C6 | Infineon | FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 700V 10.6A | 1+:￥13.68
10+:￥12.33
25+:￥11.04
100+:￥9.93
250+:￥8.82
500+:￥7.7
1000+:￥6.381+:￥10.5201
10+:￥8.53
100+:￥6.78
500+:￥6.78
1000+:￥6.34
2500+:￥5.82
5000+:￥5.76
10000+:￥5.54
25000+:￥5.51 |
立创商城 | IPD65R380C6 | Infineon(英飞凌) | MOS(场效应管) | 1+:￥13.99
200+:￥5.42
500+:￥5.23
1000+:￥5.13
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立创商城 | IPD65R380C6BTMA1 | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：3.5V @ 320uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥15.84
10+:￥13.75
30+:￥13.36
100+:￥12.98
500+:￥12.81
1000+:￥12.6
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