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IPD65R225C7 /MOSFET N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
IPD65R225C7的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:225 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:63 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:CoolMOS C7

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:48 ns

典型接通延迟时间:9 ns

零件号别名:IPD65R225C7ATMA1 SP000929430

单位重量:4 g

供应商IPD65R225C7
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现代芯城(深圳)科技有限公司IPD65R225C7www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
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深圳市芯幂科技有限公司IPD65R225C7深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
IPD65R225C7Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C71:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
2,500:¥8.3733
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立创商城
IPD65R225C7Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 240uA 漏源导通电阻:225mΩ @ 4.8A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道1+:¥18.3
200+:¥7.08
500+:¥6.84
1000+:¥6.71