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IPD65R1K4CFD /MOSFET N-Ch 700V 8.2A DPAK-2
IPD65R1K4CFD的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:2.8 A

Rds On-漏源导通电阻:1.26 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:10 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:28.4 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:XPD65R1

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:18.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:33 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:IPD65R1K4CFDBTMA1 SP000953126

单位重量:4 g

供应商IPD65R1K4CFD
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深圳市安富世纪电子有限公司IPD65R1K4CFD深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
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深圳市天卓伟业电子有限公司IPD65R1K4CFD深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司IPD65R1K4CFDwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市毅创腾电子科技有限公司IPD65R1K4CFD深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市辉华拓展电子有限公司IPD65R1K4CFDATMA1深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPD65R1K4CFDATMA1深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市凌特半导体科技有限公司IPD65R1K4CFD广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳和润天下电子科技有限公司IPD65R1K4CFD深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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IPD65R1K4CFDBTMA1InfineonFET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品1+:¥7.5001
10+:¥6.62
25+:¥5.97
100+:¥5.23
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IPD65R1K4CFDATMA2Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3$0.49770
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Mouser 贸泽电子
IPD65R1K4CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 8.2A DPAK-21:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
2,500:¥3.4013
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2,500:¥3.0171
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Mouser 贸泽电子
IPD65R1K4CFDATMA2Infineon TechnologiesMOSFET2,500:¥3.0171
10,000:¥2.9041
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IPD65R1K4CFDInfineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥7.15
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