IPD65R225C7ATMA1
/INFINEON IPD65R225C7ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V
IPD65R225C7ATMA1的规格信息
封装:REEL
极性:N-Channel
漏源极电压(Vds):700V
连续漏极电流(Ids):11A
安装方式:Surface Mount
含铅标准:Lead Free
RoHS标准:Compliant
IPD65R225C7ATMA1
IPD65R225C7ATMA1及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| IPD65R225C7ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 | Infineon Technologies |  | 1.44 Mbytes | 共14页 |  | 无 |
IPD65R225C7ATMA1的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | IPD65R225C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 | $2.57000 |