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IPD60R600E6BTMA1 /Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
IPD60R600E6BTMA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:7.3 A

最大漏源电压:650 V

最大漏源电阻值:600 m0hms

最大栅阈值电压:3.5V

最小栅阈值电压:2.5V

最大栅源电压:-30 V、+30 V

封装类型:DPAK (TO-252)

安装类型:表面贴装

引脚数目:3

晶体管配置:

通道模式:增强

类别:功率 MOSFET

最大功率耗散:63 W

长度:6.73mm

每片芯片元件数目:1

尺寸:6.73 x 6.22 x 2.41mm

系列:CoolMOS E6

晶体管材料:Si

典型栅极电荷@Vgs:20.5 nC

典型输入电容值@Vds:440 pF@ 100 V

典型关断延迟时间:58 ns

典型接通延迟时间:10 ns

宽度:6.22mm

最低工作温度:-55 °C

高度:2.41mm

最高工作温度:+150 °C

封装/外壳:PG-TO252-3

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商IPD60R600E6BTMA1
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