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IPD60R380P6 /
IPD60R380P6的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

封装/外壳:PG-TO252-3

安装风格:SMD/SMT

通道数量:1Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600V

Id-连续漏极电流:10.6A

Rds On-漏源导通电阻:342mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5V

Vgs - 栅极-源极电压:20V

Qg-栅极电荷:19nC

最小工作温度:-55C

最大工作温度:+150C

配置:Single

Pd-功率耗散:83W

通道模式:Enhancement

高度:2.3mm

长度:6.5mm

系列:XPD60R380

晶体管类型:1N-Channel

宽度:6.22mm

下降时间:7ns

上升时间:6ns

典型关闭延迟时间:33ns

典型接通延迟时间:12ns

Packing Type:TAPE & REEL

RDS (on) max:380.0mΩ

IDpuls max:29.0A

VDS max:600.0V

ID max:10.6 A

RthJC max:1.5 K/W

QG (typ @10V):19.0 nC

Package:DPAK (TO-252)

Budgetary Price €€/1k:0.5

Operating Temperature min:-55.0°C

Ptot max:83.0W

Polarity:N

Pin Count:3.0 Pins

RthJA max:62.0K/W

VGS(th) min max:3.5 V 4.5 V

Mounting:SMT

Special Features:price/performance

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商IPD60R380P6
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芯莱德电子(香港)有限公司IPD60R380P6深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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IPD60R380P6的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
IPD60R380P6BTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3Discontinued at Digi-Key
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Mouser 贸泽电子
IPD60R380P6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-21:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8478
1,000:¥5.6726
2,500:¥5.6726
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立创商城
IPD60R380P6Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 320uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道1+:¥12.31
200+:¥4.77
500+:¥4.6
1000+:¥4.52