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IPD60R380C6的规格信息
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封装/外壳：PG-TO252-3

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10.6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 320µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：32nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：700pF @ 100V

功率耗散（最大值）：83W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 3.8A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：10.6A

Rds On-漏源导通电阻：380mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.5V

Qg-栅极电荷：32nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：83W

通道模式：Enhancement

商标名：CoolMOS

封装：CutTape

高度：2.3mm

长度：6.5mm

系列：XPD60R380

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

下降时间：9ns

上升时间：10ns

典型关闭延迟时间：110ns

典型接通延迟时间：15ns

Vds-漏源极击穿电压：600V

Vgs - 栅极-源极电压：10V

封装：Reel

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商IPD60R380C6
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深圳市威雅利发展有限公司IPD60R380C6华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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现代芯城（深圳）科技有限公司IPD60R380C6www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市辉华拓展电子有限公司IPD60R380C6深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
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19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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IPD60R380C6的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3$1.86000
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元器件资料网-Rochester的LOGO
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