封装/外壳：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：600V

Id-连续漏极电流：8.1A

Rds On-漏源导通电阻：520mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：23.4nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：66W

通道模式：Enhancement

高度：2.3mm

长度：6.5mm

系列：CoolMOSC6

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

下降时间：14ns

上升时间：10ns

典型关闭延迟时间：85ns

典型接通延迟时间：13ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：520.0mΩ

IDpuls max：22.0A

VDS max：600.0V

ID max：8.1A

Package：DPAK (TO-252)

Rth：1.9K/W

QG：23.4nC

Budgetary Price €€/1k：0.43

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：66.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMT

VGS(th) min max：2.5V 3.5V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs