IPD60R3K3C6的供应商，IPD60R3K3C6规格参数，IPD60R3K3C6的PDF资料

IPD60R3K3C6 /Infineon Technologies/分立半导体产品

IPD60R3K3C6的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：IPD60R3K3C6

产品培训模块：CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：CoolMOS??

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.7A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.3 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 40µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：4.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：93pF @ 100V

功率 - 最大值：18.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：PG-TO252-3

其它名称：IPD60R3K3C6BTMA1IPD60R3K3C6TRSP000799130

IPD60R3K3C6

IPD60R3K3C6的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPD60R3K3C6	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市芯幂科技有限公司	IPD60R3K3C6	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	IPD60R3K3C6	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市威雅利发展有限公司	IPD60R3K3C6	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	IPD60R3K3C6	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	IPD60R3K3C6	深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房	0755-82542579 19924492152	董先生	询价
深圳市微碧半导体有限公司	IPD60R3K3C6-VB	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	IPD60R3K3C6	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	IPD60R3K3C6	深圳市福田区航都大厦25F	0755-83289799 18129819897	蔡小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	IPD60R3K3C6	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
深圳市坤融电子有限公司	IPD60R3K3C6	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
深圳市骏创达科技有限公司	IPD60R3K3C6ATMA1	深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD 1期A座20楼2002	0755-23964265，0755-23917105	朱小姐，王小姐	询价
集好芯城	IPD60R3K3C6	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	IPD60R3K3C6	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
集好芯城	IPD60R3K3C6	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	IPD60R3K3C6	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IPD60R3K3C6	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市赛美科科技有限公司	IPD60R3K3C6	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市佳威星科技有限公司	IPD60R3K3C6	深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C	0755-83045910 13724343501	胡小姐	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	IPD60R3K3C6	深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼210	0755-83230201 19147724283，19147721680	王小姐，刘先生	询价

IPD60R3K3C6及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
IPD60R3K3C6	600V CoolMOS C6 Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1353.35 Kbytes	共14页	无
IPD60R3K3C6	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	963.88 Kbytes	共14页	无
IPD60R3K3C6	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	336.07 Kbytes	共2页	无
IPD60R3K3C6_15	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	963.88 Kbytes	共14页	无
IPD60R3K3C6ATMA1	MOSFET N-Ch 650V 1.7A DPAK-2	Infineon Technologies	803.22 Kbytes	共14页	无
IPD60R3K3C6ATMA1	MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3	Infineon Technologies	803.22 Kbytes	共14页	无
IPD60R3K3C6ATMA1	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.5V @ 40uA 漏源导通电阻：3.3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：18.1W(Tc) 类型：N沟道	Infineon(英飞凌)	958.16 Kbytes	共14页	无

IPD60R3K3C6的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	IPD60R3K3C6	Infineon	FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 650V 1.7A	1+:￥4.87 10+:￥4.28 25+:￥3.79 100+:￥3.3 250+:￥2.87 500+:￥2.44 1000+:￥1.961+:￥3.77 10+:￥2.93 100+:￥1.89 1000+:￥1.76 2500+:￥1.61 10000+:￥1.6 25000+:￥1.54 50000+:￥1.51 100000+:￥1.491+:￥4.78 25+:￥4.0101 100+:￥3.3710+:￥1.54 50+:￥1.47 100+:￥1.43 500+:￥1.33012500+:￥3.48 10000+:￥3.1 22500+:￥2.321+:￥1.91
Avnet	IPD60R3K3C6	Infineon Technologies AG		1+:￥4.87 10+:￥4.28 25+:￥3.79 100+:￥3.3 250+:￥2.87 500+:￥2.44 1000+:￥1.961+:￥3.77 10+:￥2.93 100+:￥1.89 1000+:￥1.76 2500+:￥1.61 10000+:￥1.6 25000+:￥1.54 50000+:￥1.51 100000+:￥1.491+:￥4.78 25+:￥4.0101 100+:￥3.3710+:￥1.54 50+:￥1.47 100+:￥1.43 500+:￥1.33012500+:￥3.48 10000+:￥3.1 22500+:￥2.32
ChipOneStop	IPD60R3K3C6	Infineon	FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 650V 1.7A	1+:￥4.87 10+:￥4.28 25+:￥3.79 100+:￥3.3 250+:￥2.87 500+:￥2.44 1000+:￥1.961+:￥3.77 10+:￥2.93 100+:￥1.89 1000+:￥1.76 2500+:￥1.61 10000+:￥1.6 25000+:￥1.54 50000+:￥1.51 100000+:￥1.491+:￥4.78 25+:￥4.0101 100+:￥3.3710+:￥1.54 50+:￥1.47 100+:￥1.43 500+:￥1.3301
Digi-Key 得捷电子	IPD60R3K3C6	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3	Obsolete
Digi-Key 得捷电子	IPD60R3K3C6	Infineon	FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 650V 1.7A	1+:￥4.87 10+:￥4.28 25+:￥3.79 100+:￥3.3 250+:￥2.87 500+:￥2.44 1000+:￥1.96
element14 e络盟电子	IPD60R3K3C6	Infineon	FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 650V 1.7A	1+:￥4.87 10+:￥4.28 25+:￥3.79 100+:￥3.3 250+:￥2.87 500+:￥2.44 1000+:￥1.961+:￥3.77 10+:￥2.93 100+:￥1.89 1000+:￥1.76 2500+:￥1.61 10000+:￥1.6 25000+:￥1.54 50000+:￥1.51 100000+:￥1.491+:￥4.78 25+:￥4.0101 100+:￥3.37
Mouser 贸泽电子	IPD60R3K3C6	Infineon	FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 650V 1.7A	1+:￥4.87 10+:￥4.28 25+:￥3.79 100+:￥3.3 250+:￥2.87 500+:￥2.44 1000+:￥1.961+:￥3.77 10+:￥2.93 100+:￥1.89 1000+:￥1.76 2500+:￥1.61 10000+:￥1.6 25000+:￥1.54 50000+:￥1.51 100000+:￥1.49
Mouser 贸泽电子	IPD60R3K3C6ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 1.7A DPAK-2	1:¥4.8364 10:¥4.0341 100:¥2.6103 1,000:¥2.0792 2,500:¥2.0792
Rochester	IPD60R3K3C6	Infineon	FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-CH 650V 1.7A	1+:￥4.87 10+:￥4.28 25+:￥3.79 100+:￥3.3 250+:￥2.87 500+:￥2.44 1000+:￥1.961+:￥3.77 10+:￥2.93 100+:￥1.89 1000+:￥1.76 2500+:￥1.61 10000+:￥1.6 25000+:￥1.54 50000+:￥1.51 100000+:￥1.491+:￥4.78 25+:￥4.0101 100+:￥3.3710+:￥1.54 50+:￥1.47 100+:￥1.43 500+:￥1.33012500+:￥3.48 10000+:￥3.1 22500+:￥2.321+:￥1.911+:￥1.63 25+:￥1.62 50+:￥1.6 100+:￥1.59 300+:￥1.56 500+:￥1.55 1000+:￥1.54 5000+:￥1.53
立创商城	IPD60R3K3C6	Infineon(英飞凌)	MOS(场效应管)	1+:￥4.1 200+:￥1.59 500+:￥1.53 1000+:￥1.51
立创商城	IPD60R3K3C6ATMA1	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.5V @ 40uA 漏源导通电阻：3.3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：18.1W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥6.73 10+:￥5.02 30+:￥4.7 100+:￥4.39 500+:￥4.25 1000+:￥4.18

IPD60R3K3C6的相关型号