销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 ChipOneStop | IPD60R450E6 | Infineon | FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 650V 9.2A | 2500+:¥5.11 5000+:¥4.93 12500+:¥4.73 25000+:¥4.66 62500+:¥4.541+:¥9.36 10+:¥7.5399 100+:¥6.0299 500+:¥6.0299 1000+:¥5.61 2500+:¥5.15 5000+:¥5.1 10000+:¥4.9 25000+:¥4.871+:¥13.9 25+:¥12.95 100+:¥10.01015+:¥3.28 25+:¥3.28 |
 Digi-Key 得捷电子 | IPD60R450E6 | Infineon | FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 650V 9.2A | 2500+:¥5.11 5000+:¥4.93 12500+:¥4.73 25000+:¥4.66 62500+:¥4.54 |
 Digi-Key 得捷电子 | IPD60R450E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3 | $0.61000 |
 element14 e络盟电子 | IPD60R450E6 | Infineon | FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 650V 9.2A | 2500+:¥5.11 5000+:¥4.93 12500+:¥4.73 25000+:¥4.66 62500+:¥4.541+:¥9.36 10+:¥7.5399 100+:¥6.0299 500+:¥6.0299 1000+:¥5.61 2500+:¥5.15 5000+:¥5.1 10000+:¥4.9 25000+:¥4.871+:¥13.9 25+:¥12.95 100+:¥10.0101 |
 Mouser 贸泽电子 | IPD60R450E6 | Infineon | FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 650V 9.2A | 2500+:¥5.11 5000+:¥4.93 12500+:¥4.73 25000+:¥4.66 62500+:¥4.541+:¥9.36 10+:¥7.5399 100+:¥6.0299 500+:¥6.0299 1000+:¥5.61 2500+:¥5.15 5000+:¥5.1 10000+:¥4.9 25000+:¥4.87 |
 Rochester | IPD60R450E6 | Infineon | FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 650V 9.2A | 2500+:¥5.11 5000+:¥4.93 12500+:¥4.73 25000+:¥4.66 62500+:¥4.541+:¥9.36 10+:¥7.5399 100+:¥6.0299 500+:¥6.0299 1000+:¥5.61 2500+:¥5.15 5000+:¥5.1 10000+:¥4.9 25000+:¥4.871+:¥13.9 25+:¥12.95 100+:¥10.01015+:¥3.28 25+:¥3.281+:¥5.31 25+:¥5.26 50+:¥5.21 100+:¥5.17 300+:¥5.08 500+:¥5.0299 1000+:¥4.98 5000+:¥4.96 |
 立创商城 | IPD60R450E6ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:3.5V @ 280uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):74W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥15.97 10+:¥13.86 30+:¥13.47 100+:¥13.09 500+:¥12.91 1000+:¥12.7
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