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IPD60R450E6 /
IPD60R450E6的规格信息
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封装/外壳：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：600V

Id-连续漏极电流：9.2A

Rds On-漏源导通电阻：410mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：74W

高度：2.3mm

长度：6.5mm

系列：CoolMOSE6

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

Packing Type：TAPE & REEL

RDS (on) max：450.0mΩ

IDpuls max：26.0A

VDS max：600.0V

ID max：9.2A

Package：DPAK (TO-252)

Rth：1.7K/W

QG：28.0nC

Budgetary Price €€/1k：0.5

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：74.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMT

VGS(th) min max：2.5V 3.5V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商IPD60R450E6
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深圳市安富世纪电子有限公司IPD60R450E6深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPD60R450E6深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市天卓伟业电子有限公司IPD60R450E6深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPD60R450E6ATMA1深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市仓实科技有限公司IPD60R450E6BTMA1深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IPD60R450E6ATMA1深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPD60R450E6深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPD60R450E6ATMA1深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
集好芯城IPD60R450E6深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司IPD60R450E6ATMA1深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IPD60R450E6ATMA1深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司IPD60R450E6深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPD60R450E6航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IPD60R450E6ATMA1龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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集好芯城IPD60R450E6深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市宇浩扬科技有限公司IPD60R450E6ATMA1深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司IPD60R450E6广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司IPD60R450E6ATMA1广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳和润天下电子科技有限公司IPD60R450E6深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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IPD60R450E6600V CoolMOS E6 Power Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO2136.8 Kbytes共17页IPD60R450E6的PDF下载地址无
IPD60R450E6Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO1216.26 Kbytes共17页IPD60R450E6的PDF下载地址无
IPD60R450E6N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO335.75 Kbytes共2页IPD60R450E6的PDF下载地址无
IPD60R450E6ATMA1MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.18 Mbytes共17页IPD60R450E6ATMA1的PDF下载地址无
IPD60R450E6ATMA1MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.18 Mbytes共17页IPD60R450E6ATMA1的PDF下载地址无
IPD60R450E6ATMA1连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.5V @ 280uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：74W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO1.18 Mbytes共17页IPD60R450E6ATMA1的PDF下载地址无
IPD60R450E6BTMA1MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.18 Mbytes共17页IPD60R450E6BTMA1的PDF下载地址无
IPD60R450E6的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		IPD60R450E6InfineonFET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 650V 9.2A2500+:￥5.11
5000+:￥4.93
12500+:￥4.73
25000+:￥4.66
62500+:￥4.541+:￥9.36
10+:￥7.5399
100+:￥6.0299
500+:￥6.0299
1000+:￥5.61
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25000+:￥4.871+:￥13.9
25+:￥12.95
100+:￥10.01015+:￥3.28
25+:￥3.28
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPD60R450E6InfineonFET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 650V 9.2A2500+:￥5.11
5000+:￥4.93
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPD60R450E6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3$0.61000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		IPD60R450E6InfineonFET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 650V 9.2A2500+:￥5.11
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100+:￥6.0299
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1000+:￥5.61
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25000+:￥4.871+:￥13.9
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPD60R450E6InfineonFET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 650V 9.2A2500+:￥5.11
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100+:￥6.0299
500+:￥6.0299
1000+:￥5.61
2500+:￥5.15
5000+:￥5.1
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25000+:￥4.87
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		IPD60R450E6InfineonFET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 650V 9.2A2500+:￥5.11
5000+:￥4.93
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100+:￥6.0299
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25+:￥5.26
50+:￥5.21
100+:￥5.17
300+:￥5.08
500+:￥5.0299
1000+:￥4.98
5000+:￥4.96
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		IPD60R450E6ATMA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.5V @ 280uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：74W(Tc) 类型：N沟道1+:￥15.97
10+:￥13.86
30+:￥13.47
100+:￥13.09
500+:￥12.91
1000+:￥12.7
IPD60R450E6的相关型号
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