封装/外壳：PG-TO252-3

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 200µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20.5nC

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：440pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：100V

功率耗散（最大值）：63W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 2.4A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

供应商器件封装：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：7.3A

Rds On-漏源导通电阻：540mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：63W

商标名：CoolMOS

封装：CutTape

高度：2.3mm

长度：6.5mm

系列：CoolMOSE6

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

Vds-漏源极击穿电压：600V

封装：Reel

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs