FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10.6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 320µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：19nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：877pF @ 100V

功率耗散（最大值）：83W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 3.8A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TO252-3

封装/外壳：PG-TO252-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：10.6 A

最大漏源电压：650 V

最大漏源电阻值：380 m0hms

最大栅阈值电压：4.5V

最小栅阈值电压：3.5V

最大栅源电压：-30 V、+30 V

封装类型：DPAK (TO-252)

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：83 W

最高工作温度：+150 °C

长度：6.73mm

高度：2.41mm

正向二极管电压：0.9V

系列：CoolMOS P6

典型输入电容值@Vds：877 pF @ 100 V

最低工作温度：-55 °C

典型接通延迟时间：12 ns

宽度：6.22mm

每片芯片元件数目：1

尺寸：6.73 x 6.22 x 2.41mm

典型栅极电荷@Vgs：19 nC @ 10 V

典型关断延迟时间：33 ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs