HY1920P
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W(Tc) 类型:N沟道
HY1920P的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)90A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻24mΩ @ 45A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)375W(Tc)
类型N沟道
HY1920P
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HY1920P | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W(Tc) 类型:N沟道 | HUAYI(华羿微) |  | 899.35 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
HY1920P的全球分销商及价格
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 立创商城 | HY1920P | HUAYI(华羿微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥5.83 10+:¥4.4 30+:¥4.14 100+:¥3.88 500+:¥3.76 1000+:¥3.71
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