HY0C20C
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 类型：双N沟道(共漏)
HY0C20C的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A(Tc)
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻11mΩ @ 8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.56W(Tc)
类型双N沟道(共漏)
HY0C20C
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| HY0C20C | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 类型：双N沟道(共漏) | HUAYI(华羿微) |  | 8.31 Mbytes | 共10页 |  | 无 |
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150+:￥0.454676
500+:￥0.421628
2500+:￥0.40694
5000+:￥0.399682
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