HY0910D
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：143mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道
HY0910D的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）9A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻143mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）21W(Tc)
类型N沟道
HY0910D
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| HY0910D | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：143mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道 | HUAYI(华羿微) |  | 1.10 Mbytes | 共11页 |  | 无 |
HY0910D的全球分销商及价格
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50+:￥0.466443
150+:￥0.433487
500+:￥0.40053
2500+:￥0.385883
5000+:￥0.378646
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