FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):24V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):7 毫欧 @ 5.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):33.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2665pF @ 10V
功率 - 最大值:700mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:U-DFN2535-6
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs