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DMN2009LSS-13 /MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A
DMN2009LSS-13的规格信息
DMN2009LSS-13的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.56 mm

长度:4.6 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:DMN2009

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.25 mm

商标:Diodes Incorporated

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

单位重量:851 mg

供应商DMN2009LSS-13
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现代芯城(深圳)科技有限公司DMN2009LSS-13www.nowchip.com0755-27381274
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DMN2009LSS-13DIODES ZETEX2500+:¥1.91+:¥4.29
10+:¥3.32
100+:¥2.15
1000+:¥1.94
2500+:¥1.78
10000+:¥1.76
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DMN2009LSS-13Diodes Incorporated2,500 : $0.22
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DMN2009LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC2,500 : $0.261
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DMN2009LSS-13Diodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A2500+:¥1.9
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DMN2009LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,500:¥2.2148
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