FET 类型：8 N 沟道，共栅，共源
FET 功能：标准
漏源电压（Vdss）：12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：190pF @ 6V
功率 - 最大值：660mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：12-uFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：U-QFN1515-12
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs