制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:540 mA

Rds On-漏源导通电阻:400 mOhms, 400 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:950 pC, 950 pC

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:200 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Reel

系列:DMN2004D

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:200 mS, 200 mS

下降时间:10.5 ns, 10.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.3 ns, 7.3 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13.8 ns, 13.8 ns

典型接通延迟时间:4.1 ns, 4.1 ns