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DMN13H750S-7 /MOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
DMN13H750S-7的规格信息
DMN13H750S-7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:130 V

Id-连续漏极电流:1 A

Rds On-漏源导通电阻:750 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:5.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.26 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMN13

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:1.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1.7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:6.6 ns

典型接通延迟时间:2.3 ns

单位重量:8 mg

供应商DMN13H750S-7
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深圳博睿鹏成科技有限公司DMN13H750S-7深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2009号城投芯时代大厦4030755-23251550
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DMN13H750S-7DIODES ZETEX1+:¥4.29
10+:¥3.59
25+:¥3.15
100+:¥2.7
250+:¥2.34
500+:¥1.98
1000+:¥1.531+:¥3.36
10+:¥2.5001
100+:¥1.57
1000+:¥1.39
3000+:¥1.29
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24000+:¥1.15
45000+:¥1.13
99000+:
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DMN13H750S-7Diodes Inc.1+:¥4.29
10+:¥3.59
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DMN13H750S-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 130V 1A SOT2310 : $0.464
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Mouser 贸泽电子
DMN13H750S-7Diodes Inc.1+:¥4.29
10+:¥3.59
25+:¥3.15
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10+:¥2.5001
100+:¥1.57
1000+:¥1.39
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99000+:¥1.1
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Mouser 贸泽电子
DMN13H750S-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
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DMN13H750S-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):130V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):770mW 类型:N沟道1+:¥1.3182
10+:¥0.9521
30+:¥0.8848
100+:¥0.8176
500+:¥0.7877
1000+:¥0.7729