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DMN10H220LVT-7 /MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
DMN10H220LVT-7的规格信息
DMN10H220LVT-7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOT-26-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:2.24 A

Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:16 V

Qg-栅极电荷:8.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.67 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMN10

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:3.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.2 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:7.9 ns

典型接通延迟时间:6.8 ns

供应商DMN10H220LVT-7
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现代芯城(深圳)科技有限公司DMN10H220LVT-7www.nowchip.com0755-27381274
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DMN10H220LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT2610 : $0.464
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DMN10H220LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334