包装标准卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型2 N 沟道（双）共漏

FET 功能标准

漏源电压（Vdss）12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）17A（Ta）

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）5.9mOhm @ 5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）24nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）-

功率 - 最大值900mW

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

封装/外壳6-SMD，无引线

供应商器件封装X4-DSN2112-6