制造商:Diodes Incorporated
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-363-6
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:650 mA, 450 mA
Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms, 360 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV, 2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:1.4 nC, 1.3 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:310 mW
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:DMC3400
晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel
商标:Diodes Incorporated
下降时间:18.8 ns, 19 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:3.5 ns, 8.8 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:25.2 ns, 35 ns
典型接通延迟时间:3.8 ns, 5.7 ns
单位重量:7.500 mg