制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:8.5 A, 5.5 A

Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms, 45 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:9.8 nC, 10.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:8 S, 5 S

下降时间:5.8 ns, 12.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.2 ns, 4.9 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16.6 ns, 28.4 ns

典型接通延迟时间:3.9 ns, 6.8 ns

单位重量:8 mg