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DMC3400SDW-13 /MOSFET 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC
DMC3400SDW-13的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:650 mA, 450 mA

Rds On-漏源导通电阻:400 mOhms, 900 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV, 1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:1.4 nC, 1.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:390 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMC3400

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:18.8 ns, 19 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.5 ns, 8.8 ns

工厂包装数量:10000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25.2 ns, 35 ns

典型接通延迟时间:3.8 ns, 5.7 ns

单位重量:7.500 mg

供应商DMC3400SDW-13
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DMC3400SDW-13Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS - Tape and Reel10,000 : $0.0455
49,999 : $0.0414
99,999 : $0.0408
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DMC3400SDW-13Diodes IncorporatedMOSFET 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
10,000:¥0.44522
20,000:查看
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DMC3400SDW-13DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):650mA,450mA 漏源电压(Vdss):30V,-30V 栅源极阈值电压:1.6V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 590mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):310mW 类型:N沟道和P沟道5+:¥0.59554
50+:¥0.437856
150+:¥0.408893
500+:¥0.379931
2500+:¥0.367058
5000+:¥0.360698