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DMC3021LK4-13 /MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K
DMC3021LK4-13的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-5

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:9.4 A, 6.8 A

Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms, 53 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:17.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.75 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

长度:6.7 mm

系列:DMC3021

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:6.2 mm

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:8.5 S

下降时间:6.3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.6 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:2.5 ns

单位重量:4 g

供应商DMC3021LK4-13
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DMC3021LK4-13MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5KDiodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO382.62 Kbytes共10页DMC3021LK4-13的PDF下载地址
DMC3021LK4-13连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.4A,6.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.7W 类型:N沟道和P沟道DIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO387.67 Kbytes共10页DMC3021LK4-13的PDF下载地址
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DMC3021LK4-13DIODES ZETEX2500+:¥1.27
5000+:¥1.19
12500+:¥1.1
25000+:¥1.04
62500+:¥1.02
125000+:¥0.99011+:¥3.13
10+:¥2.3499
100+:¥1.4801
1000+:¥1.31
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DMC3021LK4-13Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 30V TO252-4L$0.62000
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Digi-Key 得捷电子
DMC3021LK4-13Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K2500+:¥1.27
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DMC3021LK4-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K1:¥4.3053
10:¥3.6047
100:¥2.1922
1,000:¥1.695
2,500:¥1.4577
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Mouser 贸泽电子
DMC3021LK4-13Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K2500+:¥1.27
5000+:¥1.19
12500+:¥1.1
25000+:¥1.04
62500+:¥1.02
125000+:¥0.99011+:¥3.13
10+:¥2.3499
100+:¥1.4801
1000+:¥1.31
2500+:¥1.21
10000+:¥1.11
25000+:¥1.08
50000+:¥1.06
100000+:¥1.03
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立创商城
DMC3021LK4-13DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.4A,6.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.7W 类型:N沟道和P沟道1+:¥2.5
10+:¥2.43