FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：15A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：500pF @ 15V，1188pF @ 15V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerDI3333-8
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs