制造商:Diodes Incorporated
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-963-6
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:220 mA, 200 mA
Rds On-漏源导通电阻:2.3 Ohms, 5.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Vgs - 栅极-源极电压:12 V
Qg-栅极电荷:380 pC, 350 pC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:350 mW
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封装:Reel
系列:DMC31
晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel
商标:Diodes Incorporated
下降时间:7.5 ns, 8.7 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:2.2 ns, 5.2 ns
工厂包装数量:10000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:21 ns, 18.8 ns
典型接通延迟时间:3.2 ns, 3.5 ns