FET 类型:N 和 P 沟道互补型
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.2A(Ta),6.8A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):25 毫欧 @ 7A,10V,28 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):4.6nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):500pF @ 15V,1188pF @ 15V
功率 - 最大值:1.2W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商器件封装:PowerDI3333-8
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs