制造商:Diodes Incorporated
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:8.5 A, 7 A
Rds On-漏源导通电阻:14 mOhms, - 30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:16.1 nC, 21.1 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 100 C
Pd-功率耗散:2.5 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:DMC302
晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel
商标:Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值:8.1 S, 7 S
下降时间:8.55 ns, 22.2 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:4.5 ns, 6.5 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:26.3 ns, 50.1 ns
典型接通延迟时间:5 ns, 10.1 ns
单位重量:74 mg