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CSD17556Q5B /MOSFET 30V N-Ch NexFET Power MOSFETs
CSD17556Q5B的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSON-Clip-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:1.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:28.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Single

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:6 mm

系列:CSD17556Q5B

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:197 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:26 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:134.700 mg

供应商CSD17556Q5B
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深圳市威雅利发展有限公司CSD17556Q5B华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司CSD17556Q5B深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市高捷芯城科技有限公司CSD17556Q5B深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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集好芯城CSD17556Q5B深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市仓实科技有限公司CSD17556Q5B深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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深圳市芯泽盛世科技有限公司CSD17556Q5B龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市凌特半导体科技有限公司CSD17556Q5B广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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CSD17556Q5B的全球分销商及价格
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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