包装标准卷带

系列-

零件状态停產

FET 类型2 个 P 沟道（双）

FET 功能标准

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7.1A（Ta）

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）25 毫欧 @ 7.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.7V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）30.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1573pF @ 15V

功率 - 最大值2W

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装8-SOIC